本發明公開了一種三維多孔銅硅碳復合一體化電極及其制備方法,銅硅簡單的球磨方法形成銅硅合金,結合有機膜的非溶劑致相分離法制備前驅體,通過粉末冶金的固相燒結法制備出具有一定韌性及機械強度的三維多孔銅硅膜,利用化學氣相沉積法生長石墨烯和碳納米管,通過控制溫度,氣體通入時間及乙炔的流量來控制石墨烯和碳納米管的生長,最終制得銅硅碳復合一體化電極。三維多孔結構可以為循環過程中硅的體積膨脹提供充足的空間,而石墨烯和碳納米管有較大的比表面積,可以形成穩定的SEI膜,可以防止電極材料的粉化及破碎,最終使得其保持穩定的電化學循環,具有廣泛的實際應用意義。
聲明:
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