本發明公開一種金屬與Ti3SiC2陶瓷的連接方法,在金屬和Ti3SiC2陶瓷之間設置中間層Ni箔,或者由Ti和Ni組成的復合中間層箔片,將整個體系放在真空擴散爐內升溫進行連接,連接接頭為中間層、金屬和Ti3SiC2陶瓷三者之間的反應產物,由于接頭間發生了冶金結合,從而可以實現金屬和Ti3SiC2陶瓷高強度連接。
聲明:
“金屬與Ti3SiC2陶瓷的連接方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)