本發明公開一種用于制造太陽能級硅的生產工藝,步驟如下:選擇純度在98~99.5%以上的冶金級金屬硅,硼元素含量<50ppm,磷元素含量<100ppm;高溫液態萃取硅液中的硼、磷;硅液凝固;破碎研磨;表面浸蝕;水洗干燥;高溫等離子除硼;高溫真空精煉去磷、鋁和鈣;單向凝固;后處理。本發明獲得的多晶硅錠,硼<0.06ppm,磷<0.01ppm,總金屬含量<0.01ppm,電阻率>1.0Ω·cm,直接切片用于制造太陽能電池片,可以獲得15%以上的光電轉換效率;直拉單晶后切片用于制造太陽能電池片,可以獲得16%以上的光電轉換效率;經過區域熔融法拉單晶后切片用于制造太陽能電池片,可以獲得17%以上的光電轉換效率。
聲明:
“用于制造太陽能級硅的生產工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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