一種高純鋁單層晶體凝固提純方法屬于鑄造冶金領域。本發明在偏析法提純純鋁或其他輕金屬時,利用真空下的熔煉和保溫,以及純金屬凝固時的結晶特點,在扁平結晶平臺中,通過調整結晶槽中的鋁液厚度、生長速度以及固液界面前沿的溫度梯度,控制晶體生長為單層平行排列的胞狀晶體,將溶質元素的三維復雜分布轉化為近二維分布,有效控制雜質元素的排出。本發明降低了提純過程中氧原子的侵入,有利于控制界面以平面推進,提高雜質元素的排除效率。在垂直生長方向上,并排的單個胞晶體純度均勻,在生長方向上,雜質元素濃度分布更接近理論的情況,雜質元素大多富集于尾部,成型的鋁錠為板狀,可采用軋機刀具切斷,減少了污染,提高了生產效率。
聲明:
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