本發明提供了一種三維封裝互連焊點下Cu6Sn5相單晶元素擴散阻擋層的合成方法,包括:1)Cu6Sn5相單晶薄層制備;2)銅焊盤表面蒸鍍錫層;3)Cu6Sn5相單晶薄層轉移;4)Cu6Sn5相單晶薄層與銅基焊盤冶金互連。所得Cu6Sn5相單晶元素擴散阻擋層結構的元素擴散阻擋能力是傳統鎳基元素擴散阻擋層結構的72倍以上,是Cu6Sn5相多晶元素擴散阻擋層結構的144.3倍以上。具備成為替代現有三維封裝互連焊點下元素擴散阻擋層結構的潛力,有極高的工業應用價值。
聲明:
“三維封裝互連焊點下Cu6Sn5相單晶擴散阻擋層的合成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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