本發明涉及冶金法多晶硅生產中高效定向凝固除雜的工藝。其技術方案是:a.預熱:對坩堝中的硅料進行緩慢預熱,預熱真空度達到0.8Pa以下,預熱溫度范圍:室溫~1200℃,預熱時間:6~10h,預熱中要求完全保溫;b.熔化:緩慢充入氬氣至60Pa,保持一定的熔化真空度;溫度為1200℃~1550℃之間,時間為5~7h,保溫;c.真空:停止充入氬氣至5Pa,保持1h,再緩慢充入氬氣至60Pa;溫度為1550~1440℃之間,真空降壓、升壓,時間為2~3h;d.定向凝固結晶:連續充入氬氣保持60Pa;溫度為1440℃~1420℃;時間:22~26h,保溫隔熱籠逐步開啟;e.冷卻:連續充入氬氣保持80Pa;降低功率1~1.5h后溫度降至1200℃,關閉功率后至300℃;冷卻時間為10~13h;保溫隔熱籠開啟。使用本發明提純除雜效果良好。提純除雜后中金屬雜質含量產品達到了6N~7N太陽能多晶硅的等級要求。
聲明:
“利用多晶硅鑄錠爐進行高效定向凝固除雜的工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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