本發明屬于冶金制備領域,特別涉及一種磁控濺射CO-CR-TA合金靶的制造方法。該方法以99.95%的電解鈷,99.9%的電解鉻,99.9%的鉭為原料,經真空熔煉,鑄錠、鍛造,軋制,熱處理(或經真空熔煉,鑄錠,軋制,熱處理),然后機加工成成品。合金成分AT%范圍為:CO 73-88%,CR 8-25%,TA 2-6%;在熔煉過程中澆注溫度在熔點以上50℃~150℃,鍛造溫度在1000℃~1200℃,軋制溫度為1100℃~1300℃,熱處理溫度為700℃~1000℃,保溫4~10小時,然后淬火。本發明與現有技術相比具有成品成分控制精確,分布均勻,成品的純度高,密度大、磁透率高的優點。
聲明:
“磁控濺射CO-CR-TA合金靶的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)