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1.3萬伏以上超高壓、快恢復玻璃封裝二極管的制作方法

714   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 14:45:02
本發明公開了一種1.3萬伏以上超高壓、快恢復玻璃封裝二極管的制作方法,包括:N型半導體硅材料作為半導體襯底,在N型半導體襯底上摻雜N+型雜質,去除半導體襯底一面的N+型雜質層,在暴露出的N-型半導體材料上再雙雜質摻雜P+型雜質,再進行重金屬鉑摻雜,采用真空鍍膜工藝制作硅片兩面的金屬化層,多芯片冶金鍵合成管芯組件,將硅片分割成所需尺寸的管芯,將分割后的管芯組件與引線組件通過高溫燒結冶金鍵合,玻璃鈍化封裝,將調制好的玻璃粉糊涂覆在串聯的12片管芯上,即完成玻璃封裝二極管的制作。本發明產品具有電壓高、正向小、反向恢復短、高溫工作穩定好,長期工作可靠性高等特點,廣泛應用于航空、航天、電子、兵器、船舶等領域。
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“1.3萬伏以上超高壓、快恢復玻璃封裝二極管的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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