本發明屬于材料工程技術領域,特別涉及一種太陽能級多晶硅的制備方法。其技術方案是為采用高純硅石和碳質還原劑為原料,經過礦熱爐碳熱還原、渣洗精煉、濕法除雜、定向凝固、電子束熔煉后,得到太陽能級多晶硅。該高純度的太陽能級多晶硅的B含量≤0.25ppmw、P含量≤0.43ppmw、純度≥99.9999%。本發明與現有技術相比具有以下優點:1、生產工藝流程短;電耗低;環境污染小;技術方法分步驟、有目的性、選擇性、遞級性地去除硅中的雜質,產品純度高。2、本發明可以由硅石直接制備太陽能級多晶硅,可成功應用于大型高壓并網電站。
聲明:
“冶金法制備太陽能多晶硅的技術方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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