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在冶金級Si晶片上通過使用CVD外延Si膜制造的太陽能電池

708   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 14:38:21
本發明的一種實施方式提供一種用于制造太陽能電池的方法。所述方法包括:熔化冶金級(MG)Si原料,放低單晶Si籽晶以接觸熔化的MG-Si的表面,從所述熔化的MG-Si中緩慢拉出單晶Si錠,將Si錠加工成單晶Si晶片以形成用于后續外延生長的MG-Si襯底,瀝出所述MG-Si襯底中的殘余金屬雜質,在所述MG-Si襯底上外延生長摻雜有硼的單晶Si薄膜層,將磷摻雜入所述單晶Si薄膜以形成發射層,在所述單晶Si薄膜頂部上沉積抗反射層,以及形成前電接觸和背電接觸。
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