本發明涉及冶金級單晶硅太陽能電池片制造中的鍍膜工藝,尤其是一種冶金級單晶硅太陽能電池雙層減反膜鍍膜工藝。其特點是,包括如下步驟:鍍膜機反應腔體內抽真空;通入氨氣和硅烷,時間15s~20s,控制氨氣流量6300sccm~6400sccm,硅烷流量1400sccm~1500sccm;第一次鍍膜;反應腔體抽真空,再通入氨氣和硅烷,時間為15s~20s,控制氨氣流量7100sccm~7200sccm,硅烷流量600sccm~700sccm;第二次鍍膜;將反應腔體抽真空,然后沖入N2直到常壓即可完成。經過試用證明,本發明工藝結合了氮化硅薄膜各方面的優勢,達到了優勢最大化。
聲明:
“冶金級單晶硅太陽能電池雙層減反膜鍍膜工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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