冶金法制備太陽能級多晶硅的方法及該方法制備的多晶硅,涉及一種多晶硅的制備方法及用該方法制備的多晶硅。本發明的目的是為了解決現有冶金法制備太陽能級多晶硅其純度不夠高的問題。本發明主要通過氧化造渣,加入造渣劑,把硅熔體中的雜質氧化后上浮于硅熔體的上層,然后再繼續給熔體一個自下而上的冷凝梯度,使硅熔體與爐渣更好的分離,同時真空定向凝固有利于雜質的進一步去除。然后把硅錠破碎,將聚集在晶界處的雜質,利用氫氟酸進一步去除得到太陽能級硅。本發明與傳統化學法相比,能耗大大降低,生產周期縮短、適合工業化生產。整個生產過程中無污染,酸浸過程的廢料可通過簡單的中和后排出。本發明可將冶金硅提純到太陽能級硅。
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