本發明涉及一種微波等離子體提純冶金級多晶硅的方法,該方法包括以下步驟:(1)將冶金級硅粉進行超聲清洗后,室溫下晾干,得到預處理硅粉;(2)將所述預處理硅粉放入微波等離子體提純裝置內的石英管中;(3)將所述石英管抽真空后,通過Ar氣進氣裝置向所述石英管通入Ar氣;(4)20分鐘后,打開電源開關,開啟微波發射源,進行Ar微波等離子體刻蝕實驗,得到提純后的冶金級多晶硅粉體;(5)刻蝕結束后,關閉所述電源開關及所述Ar氣進氣裝置,待所述提純后的冶金級多晶硅粉體自然冷卻后取出,放入清潔無污染的環境中保存即可。本發明不但便于實現大規模的生產應用,而且有效降低了能耗及生產成本,同時也降低了提純的難度。
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