一種冶金硅直接成長為太陽能薄膜硅的工藝及其專用成長設備,將準備好的冶金硅材料電離,產生混合粒子產物,將混合粒子產物導入篩選電磁場中,使僅有需要的硅離子通過篩選電磁場進入正確路徑形成高純度硅離子束,并將高純度硅離子束射向被轉動的成長基片,在成長基片表面均勻沉積,同時通入必要的摻雜反應氣體并提供合適溫度,即可在成長基片表面獲得成長均勻的N型或P型導電的太陽能薄膜硅。專用成長設備則包括相連接的硅離子發生裝置、圓弧形的電磁場篩選裝置和薄膜沉積裝置。本發明無需進行冶金硅的提純和氣化,成本大大降低,能耗少,避免了氣化過程涉及到的氯氣,生產過程環保,并且設備結構設計合理,產品質量穩定。
聲明:
“冶金硅直接成長為太陽能薄膜硅的工藝及其專用成長設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)