本發明涉及物理冶金級硅太陽能電池制造過程中的擴散工藝,尤其是一種能提升冶金級硅片少子壽命的擴散工藝。其特點是,包括如下步驟:(1)低溫進舟、初步升溫;(2)通源擴散;(3)恒溫推進;(4)降溫、退舟。本發明的有益效果是:1.采用噴淋式擴散可節省磷源,同時提高擴散結深的均勻性,并且適合做高方阻;2.針對物理冶金硅的特性,采用雙面磷吸雜,增強吸雜效果,提升硅片少子壽命;3.通過溫度與時間的協調,有效改善擴散工藝;4.控制通氧與通源量的比例,減少由于直接擴散引起的缺陷,改善PN結結深,也可改善表面鈍化效果,提高短路電流與開路電壓,進而提升冶金硅太陽能電池轉換效率及成品率。
聲明:
“能提升冶金級硅片少子壽命的擴散工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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