本發明公開了一種太陽能級多晶硅制備方法,涉及多晶硅的制備方法技術領域。所述方法首先通過鈦?硅合金熔體的硅與二硅化鈦的多次共晶定向凝固及等離子熔煉去除硅熔體中的碳、硼、磷等元素,然后進一步鋁?硅合金合金熔體的鋁與硅的多次共晶定向凝固及等離子熔煉去除鈦、鐵等元素,然后通過對多晶硅的提拉實現再次提純,通過上述三步能夠去除多晶硅中的多種雜質,提高制備的太陽能級多晶硅純度。
聲明:
“太陽能級多晶硅制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)