本發明涉及一種濕法提純多晶硅的方法。首先將多晶硅破碎至44-147微米的微粒,在堿性條件下,加熱攪拌反應,去除油污等雜質;再通過HCl,聚乙二醇的保護和絡合作用,去除大部分的金屬雜質;再通過雙氧水或其它氧化劑,氧化硅料和硅中的雜質;再加入HCl,HF及聚乙二醇的保護和絡合作用,去除包括B、P及大部分的金屬雜質;然后在通過離心固液分離,真空干燥后得到成品。獲得的技術指標B含量從3ppmw降至≤0.91ppmw,P含量從3ppmw降至≤0.82ppmw,TM含量從300ppmw降至≤50ppmw。
聲明:
“濕法提純多晶硅的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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