本發明公開的金屬硅的物理提純方法,步驟為:將經過清潔的金屬硅放入退火爐中,加熱至1100~1300℃,保溫10~50分鐘,以0.1~2℃每分鐘的速率降溫至700~1000℃,保溫30~150分鐘,以0.1~2℃每分鐘的速率降溫至250~350℃,之后隨爐冷卻,浸泡在鹽酸和氫氟酸等體積混合溶液中1~5個小時,即可。本發明利用了磷吸雜原理,在金屬硅表面形成磷吸雜層,對金屬硅中的金屬進行吸雜處理。工藝流程簡單,低能耗,低成本,無污染排放,生產效率高,產率高,通過此方法提純可以得到純度為4~5N的金屬硅材料,可以作為太陽能電池用硅材料的原料。
聲明:
“金屬硅的物理提純方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)