一種太陽能級多晶硅的制造方法,包括以下工藝步驟:將金屬硅在高周波電磁誘導精煉爐中熔化為熔融硅;將熔融硅的溫度升至1500-1600℃,在升溫過程中間隔性地往熔融硅里面添加造渣劑;將硅料置于一次直拉爐裝置中進行直拉,初次除去硅料中的金屬雜質;將硅料置于連續進料真空熔煉爐中,在低于10-3Pa的真空狀態下進行熔煉,除去其中的磷雜質;將硅料傾入二次直拉裝置中進行二次直拉,再次除去硅料中的其它金屬雜質,得到硅棒;切除硅棒尾部,即可得到6N以上提純好的太陽能級多晶硅。本發明通過高周波電磁誘導精煉除硼,一次直拉去除部分金屬雜質,通過連續真空除磷和二次直拉去除金屬雜質來獲得低成本的太陽能級多晶硅的生產。
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