本發明公開了一種在直流電場作用下定向凝固提純多晶硅的方法,該方法是在多晶硅定向凝固晶體生長過程中,對熔融硅液施加一個與晶體生長方向平行的直流電場,使雜質在電場作用下迅速向電極方向遷移,即陽離子雜質向陰極方向遷移,陰離子雜質向陽極方向遷移,有效降低晶體生長先端液相中的雜質濃度,使后續生長的晶體雜質含量更低,獲得比傳統定向凝固純度更高的多晶硅錠。
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