本發明公開了一種磁控濺射用復合靶材的設計方法,涉及磁控濺射技術及無機化合物功能薄膜制備技術領域。其是由切割成5°、10°、30°、60°的扇形段的各組元單質薄板靶材,按照一定角度比例均勻交替拼接構成的復合靶材,其組元成分比例均勻、穩定、易于變更。通過調節各組元的扇形段角度就可以調整復合靶材的成分,從而調節化合物薄膜的化學計量比,且濺射得到的化合物薄膜成分均勻。本發明特別適用于如赫斯勒及半赫斯勒化合物等具有脆性、及由于組元熔點差異較大或部分組元成分易于偏析而難以制成符合化學計量比的化合物靶材的薄膜制備,是一種不需要使用多靶材共濺射法、但能取得共濺射生長化合物薄膜或復合薄膜效果的新型復合靶材設計方法。
聲明:
“磁控濺射用復合靶材的設計方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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