本發明涉及旋轉陽極靶技術領域,特別涉及一種減小旋轉陽極靶軌道層和基體層應力的復合層結構及其制備方法、靶盤。該復合層結構包括基體層以及軌道層;基體層上表面覆蓋有過渡層,且過渡層上表面覆蓋有軌道層;過渡層的熱膨脹系數介于基體層的熱膨脹系數和軌道層的熱膨脹系數之間;按質量百分比,過渡層包括以下組分:20%~70%W,10%~50%Mo,5%~20%T,5%~20%Z;T為Re、Ta中的一種或兩種組合;Z為Nb、Hf、Ti中的一種或多種組合。本發明可有效減少軌道層龜裂和開裂等現象的發生,使得復合層結構的室溫斷裂韌性增大,減少帶有所述復合層結構的靶盤的裂紋的產生,從而提升靶盤使用壽命,以使靶盤質量提升。
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“減小旋轉陽極靶軌道層和基體層應力的復合層結構及其制備方法、靶盤” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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