本發明提供的高純鈷靶材的制備方法,包括:將鈷粉裝入模具;冷壓成型;真空熱壓燒結。與傳統的通過高真空電子束熔煉爐獲得高純鈷錠、然后對鈷錠反復進行塑性變形和退火制得鈷靶坯的工藝相比,本發明通過粉末冶金的真空熱壓燒結技術直接由粉末制得鈷靶坯,獲得致密且分布均勻的可用于半導體靶材制造用的鈷靶坯,克服了鈷靶材由于質地堅硬易碎,而在塑性變形加工過程中容易產生裂紋而導致報廢率高的問題。
聲明:
“高純鈷靶材的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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