本發明公開了一種用復合腐蝕劑和磁選的方法去除多晶硅表面雜質的技術,屬于物理冶金領域。金屬硅原料經粗破、細破、篩分、磁選后,放入帶攪拌的容器中,加入腐蝕劑,加溫,攪拌,濾液循環使用,濾餅經洗滌、脫水、烘干得脫雜多晶硅,可作為提純鑄錠或電子束爐等其它火法提純的入爐料。本發明采用濕法冶金的方法大大降低了火法設備除雜的生產成本,是一種工業上可大規模實施的操作簡單,低投資、低能耗的新型多晶硅濕法冶金法除雜方法??蓪⒉唤浫魏芜x別提純預處理的原料多晶硅中金屬雜質從幾千ppmw降低至200ppmw以下。摒棄了直接火法冶金法電耗大、設備投資大的弊端,提供一種工業上可大規模實施的操作簡單,低投資、低能耗的一條可行的新途徑。
聲明:
“去除金屬硅表面雜質的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)