本發明屬于多晶硅提純領域,具體涉及一種應用于冶金法提純多晶硅工藝的低溫破碎硅錠方法,其特征在于將介質熔煉、定向凝固或電子束熔煉提純得到的硅錠,經降溫至300~400℃時,放入到20~80℃的水或油中,且液面超過硅錠上表面,硅錠在水或油中自然破碎成碎硅料。本發明的優點在于:(1)不再需要借助外力,充分利用硅的物理特性進行低溫破碎,節省了人力、物力成本;(2)破碎效果好,沿晶界處破碎,形成的碎硅料大小均勻,不需要再二次破碎,經簡單處理后即可用于下一環節生產。
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