本實用新型屬于用物理冶金技術提純多晶硅領域。一種電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的設備,設備由真空蓋及真空爐壁構成真空設備,真空設備的內腔即為真空室;真空室底部固定安裝熔煉支撐底座,熔煉支撐底座上安裝有套環,熔煉支撐底座內安裝有水冷升降托盤,周圍套環一側開有導流口,導流口下方安裝有拉錠機構,在真空室的上部安裝電子槍,電子槍束流對準水冷升降托盤上方。本實用新型設備結構簡單,直接使用大塊硅料作為原料以及周圍的套環形成淺熔池,綜合電子束淺熔池熔煉和定向凝固去除硅中的雜質磷和金屬。減少了能量的損失,提高了生產效率,去除效果良好,集成了除磷和除金屬的雙重效果,適合大規模工業化生產。
聲明:
“電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)