本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術將多晶硅中的雜質磷和硼去除的方法。該方法使用兩把電子槍發射電子束分別對多晶硅進行熔煉,同時采用雙重工藝去除多晶硅中的磷和硼,首先去除多晶硅中雜質磷,將低磷的多晶硅進一步熔煉蒸發除硼,收集蒸發到沉積板上的低磷低硼的多晶硅的方法。所采用的裝置由真空蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶的內腔即為真空室,真空室由左右兩個腔組成,中間由隔離板分割。本發明有效提高了多晶硅的純度,達到了太陽能級硅的使用要求,其提純效果好,技術穩定,效率高。
聲明:
“連續熔煉去除多晶硅中磷和硼的方法及裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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