權利要求
1.一種低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、根據成分配比要求，按照氧化銦90-97%、氧化錫3-10%的質量比進行混合得到混合粉體，然后摻入造粒助劑得到ITO漿料;
步驟二、將步驟一所得的ITO漿料進行造粒處理，得到ITO造粒粉體;
步驟三、將步驟二所得ITO造粒粉體分成兩部分，第一部分的ITO造粒粉體的質量百分含量為30-70%，第二部分的ITO造粒粉體的質量百分含量為30-70%，所述第一部分和第二部分ITO造粒粉體的質量總和為100%;
步驟四、將第一部分的ITO造粒粉體進行預燒處理，得到預燒粉體;
步驟五、將步驟四所得預燒粉體與第二部分的ITO造粒粉體混合，并進行預壓成型，得到ITO素坯;
步驟六、將步驟五所得ITO素坯放入脫脂爐中進行脫脂處理;
步驟七、將步驟六處理后的ITO素坯放入燒結爐內在常壓空氣氣氛中進行燒結處理，得到低密度ITO蒸鍍靶材。
2.根據權利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，步驟一中所述造粒助劑包括分散劑、粘結劑和潤滑劑;所述分散劑為聚丙烯酸銨，粘結劑為聚乙烯醇。
3.根據權利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，步驟一中所述混合粉體的平均粒徑D50為400nm。
4.根據權利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，步驟二中造粒處理的溫度為90-110℃。
5.根據權利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，步驟四中預燒處理的工藝條件為：燒結溫度為1300-1600℃，保溫時間為6-10h。
6.根據權利要求5所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，步驟四中所述燒結溫度的升溫速率為2℃/min。
7.根據權利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，步驟五中預壓成型的壓力為20-30MPa。
8.根據權利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，步驟六中脫脂處理的工藝條件為：脫脂溫度為500-800℃，保溫時間為4-8h。
9.根據權利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特
聲明：
“低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：寧波甬興電子有限公司
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2025年07月24日 ~ 26日 
