高電阻均勻性的N型單晶硅棒的制備方法

權利要求 1.一種高電阻均勻性的N型單晶硅棒的制備方法，其特征在于，所述制備方法為直拉法，包括以下步驟： (1) 將多晶硅料和摻雜劑置于石英坩堝中，在20 torr氬氣氣氛下加熱熔融至穩定的熔硅; (2) 在穩定的熔硅中引入籽晶，隨后經(jīng)縮頸、放肩后，進(jìn)入等徑生長(cháng)階段; (3) 在等徑生長(cháng)的全階段，保持拉晶速率不變，在等徑生長(cháng)開(kāi)始時(shí)降低單晶爐內氬氣氣壓至0.5-0.8 torr，保持至直拉單晶硅棒生長(cháng)完成，冷卻，得到N型單晶硅棒; 步驟(2)所述籽晶為經(jīng)過(guò)預處理的籽晶，預處理方法包括以下步驟： (a) 將山梨醇酐十二酸酯與1-氨基-1-脫氧-D-吡喃半乳糖混合，攪拌下加入十二烷基苯磺酸與對甲苯磺酸的混合催化劑，30-40 mmHg、120℃下反應，4℃靜置，過(guò)濾，濾渣洗滌，真空干燥，得到改性山梨醇酐十二酸酯; (b) 將氫氟酸、乙酸、檸檬酸溶于去離子水中，攪拌得到混酸溶液，將混酸溶液加入3wt%的殼聚糖乙酸溶液中，加入2-氨基乙基硬脂酸酯至濃度為1wt%的，攪拌，離心，冷凍干燥，得到酸緩釋微囊; (c) 將步驟(b)所得酸緩釋微囊放入乙醇和乙酸的混合液中，超聲，加入EDTAD，反應，洗滌，干燥得到微囊-EDTA; (d) 將步驟(a)所得改性山梨醇酐十二酸酯與去離子水混勻，放入籽晶，超聲，取出后加入微囊-EDTA液中，超聲，取出籽晶，將其置于超純水中漂洗，用氮氣吹干，得到預處理后的籽晶。 2.根據權利要求1所述的一種高電阻均勻性的N型單晶硅棒的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述熔融溫度為1420-1450℃;氬氣流量為70slpm;摻雜劑為銻與紅磷按照8:1的質(zhì)量比組成;摻雜劑按照磷濃度3.5×1018原子/cm3將摻雜劑添加至多晶硅料中。 3. 根據權利要求2所述的一種高電阻均勻性的N型單晶硅棒的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述縮頸時(shí)的坩堝溫度為1420-1500℃;所述放肩時(shí)的坩堝溫度為1000-1100℃，坩堝轉速為9-10 rpm，晶體轉速為10-11 rpm。 4. 根據權利要求3所述的一種高電阻均勻性的N型單晶硅棒的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述等徑生長(cháng)的坩堝溫度為1300-14