權利要求
1.一種高電阻均勻性的N型單晶硅棒的制備方法，其特征在于，所述制備方法為直拉法，包括以下步驟：
(1) 將多晶硅料和摻雜劑置于石英坩堝中，在20 torr氬氣氣氛下加熱熔融至穩定的熔硅;
(2) 在穩定的熔硅中引入籽晶，隨后經縮頸、放肩后，進入等徑生長階段;
(3) 在等徑生長的全階段，保持拉晶速率不變，在等徑生長開始時降低單晶爐內氬氣氣壓至0.5-0.8 torr，保持至直拉單晶硅棒生長完成，冷卻，得到N型單晶硅棒;
步驟(2)所述籽晶為經過預處理的籽晶，預處理方法包括以下步驟：
(a) 將山梨醇酐十二酸酯與1-氨基-1-脫氧-D-吡喃半乳糖混合，攪拌下加入十二烷基苯磺酸與對甲苯磺酸的混合催化劑，30-40 mmHg、120℃下反應，4℃靜置，過濾，濾渣洗滌，真空干燥，得到改性山梨醇酐十二酸酯;
(b) 將氫氟酸、乙酸、檸檬酸溶于去離子水中，攪拌得到混酸溶液，將混酸溶液加入3wt%的殼聚糖乙酸溶液中，加入2-氨基乙基硬脂酸酯至濃度為1wt%的，攪拌，離心，冷凍干燥，得到酸緩釋微囊;
(c) 將步驟(b)所得酸緩釋微囊放入乙醇和乙酸的混合液中，超聲，加入EDTAD，反應，洗滌，干燥得到微囊-EDTA;
(d) 將步驟(a)所得改性山梨醇酐十二酸酯與去離子水混勻，放入籽晶，超聲，取出后加入微囊-EDTA液中，超聲，取出籽晶，將其置于超純水中漂洗，用氮氣吹干，得到預處理后的籽晶。
2.根據權利要求1所述的一種高電阻均勻性的N型單晶硅棒的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述熔融溫度為1420-1450℃;氬氣流量為70slpm;摻雜劑為銻與紅磷按照8:1的質量比組成;摻雜劑按照磷濃度3.5×1018原子/cm3將摻雜劑添加至多晶硅料中。
3. 根據權利要求2所述的一種高電阻均勻性的N型單晶硅棒的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述縮頸時的坩堝溫度為1420-1500℃;所述放肩時的坩堝溫度為1000-1100℃，坩堝轉速為9-10 rpm，晶體轉速為10-11 rpm。
4. 根據權利要求3所述的一種高電阻均勻性的N型單晶硅棒的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述等徑生長的坩堝溫度為1300-14
聲明：
“高電阻均勻性的N型單晶硅棒的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：內蒙古昌瑞半導體材料有限公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
