權利要求
1.一種直拉單晶爐的管道清潔方法，其特征在于，在單晶爐下爐室(1)上端設置配備有真空壓力表(3)的不銹鋼爐蓋(2)，該不銹鋼爐蓋(2)可拆卸地與單晶爐下爐室(1)密封連接;在單晶爐管道連接真空泵的一端附近增設快速放氣閥(4)，該快速放氣閥(4)通過電動控制裝置(5)對處于負壓狀態的密閉空間進行快速進氣;
在單晶拉制結束后，將不銹鋼爐蓋(2)與單晶爐下爐室(1)密封連接后，按以下步驟進行管道清潔：
步驟1：開啟真空泵將單晶爐下爐室(1)內壓強抽至壓力表示數為-0.1 MPa;關閉真空泵及真空泵閥門，保壓10 min后若單晶爐下爐室(1)內壓力表示數基本不變，開啟快速放氣閥(4)，使外界空氣發生迅速倒灌，至壓力表示數為0;
步驟2：打開不銹鋼爐蓋(2)，使用清潔工具對單晶爐下爐室(1)堆積的粉塵及管道口附著的粉塵進行清理;
步驟3：重復以上步驟1、步驟2。
2.根據權利要求1所述的直拉單晶爐的管道清潔方法，其特征在于，所述不銹鋼爐蓋(2)的壁厚為12-15mm。
3.根據權利要求1所述的直拉單晶爐的管道清潔方法，其特征在于，所述不銹鋼爐蓋(2)下沿與單晶爐下爐室(1)上沿形狀一致，通過設置密封圈(6)實現不銹鋼爐蓋(2)與單晶爐下爐室(1)之間的密封連接。
4.根據權利要求1所述的直拉單晶爐的管道清潔方法，其特征在于，在所述不銹鋼爐蓋(2)帶有定位釘(7)，用于插入單晶爐下爐室(1)的定位孔(8)中，以確保不銹鋼爐蓋(2)與單晶爐下爐室(1)之間緊密貼合。
5.根據權利要求1所述的直拉單晶爐的管道清潔方法，其特征在于，所述步驟1、步驟2的重復次數為5~8次。
6.根據權利要求1所述的直拉單晶爐的管道清潔方法，其特征在于，在單晶拉制結束后，首先使用機械方法對管道內進行清理，再使用權利要求1所述的方法進行清理。
7.根據權利要求6所述的直拉單晶爐的管道清潔方法，其特征在于，所述步驟1、步驟2的重復次數為2~4次。
說明書
技術領域
[0001]本發明涉及一種直拉單晶爐的管道清潔方法，屬于單晶硅制備技術領域。
背景技術
[0002]隨著半導體技術
聲明：
“直拉單晶爐的管道清潔方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：山東有研艾斯半導體材料有限公司
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2025年07月24日 ~ 26日 
