權利要求
1.一種直拉單晶爐的管道清潔方法,其特征在于,在單晶爐下?tīng)t室(1)上端設置配備有真空壓力表(3)的不銹鋼爐蓋(2),該不銹鋼爐蓋(2)可拆卸地與單晶爐下?tīng)t室(1)密封連接;在單晶爐管道連接真空泵的一端附近增設快速放氣閥(4),該快速放氣閥(4)通過(guò)電動(dòng)控制裝置(5)對處于負壓狀態(tài)的密閉空間進(jìn)行快速進(jìn)氣;
在單晶拉制結束后,將不銹鋼爐蓋(2)與單晶爐下?tīng)t室(1)密封連接后,按以下步驟進(jìn)行管道清潔:
步驟1:開(kāi)啟真空泵將單晶爐下?tīng)t室(1)內壓強抽至壓力表示數為-0.1 MPa;關(guān)閉真空泵及真空泵閥門(mén),保壓10 min后若單晶爐下?tīng)t室(1)內壓力表示數基本不變,開(kāi)啟快速放氣閥(4),使外界空氣發(fā)生迅速倒灌,至壓力表示數為0;
步驟2:打開(kāi)不銹鋼爐蓋(2),使用清潔工具對單晶爐下?tīng)t室(1)堆積的粉塵及管道口附著(zhù)的粉塵進(jìn)行清理;
步驟3:重復以上步驟1、步驟2。
2.根據權利要求1所述的直拉單晶爐的管道清潔方法,其特征在于,所述不銹鋼爐蓋(2)的壁厚為12-15mm。
3.根據權利要求1所述的直拉單晶爐的管道清潔方法,其特征在于,所述不銹鋼爐蓋(2)下沿與單晶爐下?tīng)t室(1)上沿形狀一致,通過(guò)設置密封圈(6)實(shí)現不銹鋼爐蓋(2)與單晶爐下?tīng)t室(1)之間的密封連接。
4.根據權利要求1所述的直拉單晶爐的管道清潔方法,其特征在于,在所述不銹鋼爐蓋(2)帶有定位釘(7),用于插入單晶爐下?tīng)t室(1)的定位孔(8)中,以確保不銹鋼爐蓋(2)與單晶爐下?tīng)t室(1)之間緊密貼合。
5.根據權利要求1所述的直拉單晶爐的管道清潔方法,其特征在于,所述步驟1、步驟2的重復次數為5~8次。
6.根據權利要求1所述的直拉單晶爐的管道清潔方法,其特征在于,在單晶拉制結束后,首先使用機械方法對管道內進(jìn)行清理,再使用權利要求1所述的方法進(jìn)行清理。
7.根據權利要求6所述的直拉單晶爐的管道清潔方法,其特征在于,所述步驟1、步驟2的重復次數為2~4次。
說(shuō)明書(shū)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種直拉單晶爐的管道清潔方法,屬于單晶硅制備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
[0002]隨著(zhù)半導體技術(shù)
聲明:
“直拉單晶爐的管道清潔方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)