正極極片、儲能裝置及用電設備的制作方法

1.本技術(shù)涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種正極極片、儲能裝置及用電設備。 背景技術(shù)： 2.隨著(zhù)電池技術(shù)的不斷發(fā)展，層狀過(guò)渡氧化物是正極活性材料中的重要代表，其中層狀過(guò)渡氧化物既有單晶材料，也有多晶材料。多晶材料合成技術(shù)成熟，制備相對簡(jiǎn)單，克容量較高，但是壓實(shí)密度較低，放電電壓較低，殘堿含量較高，對加工的環(huán)境濕度要求更苛刻，循環(huán)性能和安全性能都不佳；單晶材料在安全性能和循環(huán)性能方面表現更優(yōu)異，壓實(shí)密度更高，殘堿濃度低，但存在著(zhù)克容量較低，倍率性能較差，且加工生產(chǎn)工藝復雜，價(jià)格昂貴的問(wèn)題。 技術(shù)實(shí)現要素： 3.針對上述問(wèn)題，本技術(shù)實(shí)施例提供一種正極極片，其能夠保證儲能裝置兼顧高能量密度與良好的循環(huán)性能及倍率性能。 4.本技術(shù)第一方面實(shí)施例提供了一種正極極片，其包括：集流體以及活性物質(zhì)層；所述活性物質(zhì)層設置于所述集流體的表面，所述活性物質(zhì)層包括至少兩層第一活性物質(zhì)層及至少一層第二活性物質(zhì)層，所述第一活性物質(zhì)層與所述第二活性物質(zhì)層沿所述集流體與所述活性物質(zhì)層的層疊方向上依次交替層疊設置，所述活性物質(zhì)層中最靠近所述集流體及最遠離所述集流體的膜層均為第一活性物質(zhì)層，所述第一活性物質(zhì)層包括第一單晶顆粒，所述第二活性物質(zhì)層包括多晶顆粒，最遠離所述集流體的第一活性物質(zhì)層的厚度大于最靠近所述集流體的第一活性物質(zhì)層的厚度。 5.其中，最遠離所述集流體的第一活性物質(zhì)層的第一單晶顆粒的中值粒徑大于最靠近所述集流體的第一活性物質(zhì)層的第一單晶顆粒的中值粒徑。 6.其中，沿所述集流體與所述活性物質(zhì)層的層疊方向上，每層所述第一活性物質(zhì)層的厚度d11的取值范圍為：10μm≤d11≤30μm，所述至少兩層第一活性物質(zhì)層的總厚度d1的取值范圍為：20μm≤d11≤50μm。 7.其中，沿所述集流體與所述活性物質(zhì)層的層疊方向上，每層所述第二活性物質(zhì)層的厚度d12的取值范圍為：60μm≤d11≤180μm；所述至少一層第二活性物質(zhì)層的總厚度d2的取值范圍為：130μm≤d1≤180μm。 8.其中，所述第二活性物質(zhì)層還包括第二單晶顆粒，所述第二單晶顆粒分散于所述多晶顆粒中，所述第二活性物質(zhì)層中的所述第二單晶顆粒的質(zhì)量分數的范圍為5％至10％。 9.其中，所述活性物質(zhì)層的面密度cw的取值范圍為：12g/cm2≤cw≤22g/cm2；所述多晶顆粒的真密度ρ的取值范圍為：4.0g/cm3≤ρ≤4.