氧化硅涂覆的聚合物膜以及用于生產(chǎn)其的低壓PECVD方法與流程

氧化硅涂覆的聚合物膜以及用于生產(chǎn)其的低壓pecvd方法 技術(shù)領(lǐng)域 1.本發(fā)明涉及無(wú)應力透明氧化硅涂覆的聚合物基材。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種用于在聚合物基材上、特別是在薄聚合物膜上、更特別是在基于聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)的薄聚合物膜上沉積基于無(wú)應力透明氧化硅的層的方法，以及一種用于促進(jìn)層壓材料與聚合物基材的粘附性的方法。特別地，該方法適合用于連續的涂覆工藝。 背景技術(shù)： 2.基于氧化硅的層可以用于不同目的的聚合物基材上。它們可以用作水蒸氣或氣體的阻隔層。它們還可以是用于改變聚合物膜的光學(xué)或光能特性的更復雜的多層堆疊體的一部分，例如像抗反射層堆疊體、低發(fā)射率絕緣層堆疊體或陽(yáng)光控制層堆疊體。它們還可以用于改善聚合物基材與其他基材或粘合劑或與其他涂覆層的粘附性。 3.為了生產(chǎn)基于氧化硅的層，可以使用所謂的pecvd方法(等離子體增強化學(xué)氣相沉積)。對于各種層材料，當涂覆許多不同的基材時(shí)，可以使用這些方法。聚合物基材經(jīng)常遇到的問(wèn)題是基材溫度的升高和等離子體反應物質(zhì)對聚合物基材表面的蝕刻。例如，已知用微波激發(fā)和/或射頻等離子體增強pecvd在13μm的pet基材上沉積厚度為20至30nm的sio2層和si3n4層。雖然獲得了令人關(guān)注的阻隔特性，但厚度為200nm的涂層在低于10nm m min-1 的動(dòng)態(tài)沉積速率非常低。[a.s.da silva sobrinho等人,j.vac.sci.technol.a[真空科學(xué)與技術(shù)雜志a]16(6),1998年11月/12月,第3190-3198頁(yè)]。 [0004] 當通過(guò)pecvd在pet基材上沉積用于透明阻擋層的氧化硅時(shí)，可以實(shí)現氧氣阻隔和水蒸氣阻隔特性[r.j.nelson和h.chatham,society of vacuum coaters[真空鍍膜協(xié)會(huì )],34th annual technical conference proceedings[第34屆年度技術(shù)會(huì )議論文集](1991)第113-117頁(yè)以及m.izu,b.dotter,s.r.ovshinsky,society of vacuum coaters[真空鍍膜協(xié)會(huì )],36th annual technical conference proceedings[第36屆年度技術(shù)會(huì )議論文集](1993)第333-340頁(yè)]。 [0005] 已知pec