半導體器件塑封料選取方法、裝置、終端設備及存儲介質(zhì)與流程

1.本技術(shù)涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，特別地涉及一種半導體器件塑封料選取方法、裝置、終端設備及存儲介質(zhì)。 背景技術(shù)： 2.功率半導體器件是電子裝置中電路控制與電能轉換的核心，主要用于改變電子裝置中電壓、頻率和電流轉換，如分立器件絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor，igbt)、快速恢復二極管(fast recovery diode,frd)、金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)等，廣泛應用于變頻空調、洗衣機、冰箱為代表的家電及軌道交通、新能源等領(lǐng)域。由于功率半導體器件的使用特性及應用環(huán)境，決定了功率半導體器件的可靠性必須得到保證和提高，才能確保整個(gè)電力轉換裝置的可靠運行。其中，漏電流大小是評判功率半導體器件可靠性的重要指標，反向偏壓越大，溫度越高，其漏電流也越大。漏電流持續增大，器件損耗增大，器件穩定性就被降低。因此，需要使器件的漏電流控制在一定范圍內并使其穩定。高溫反偏試驗(high temperature reverse bias，htrb)是監測漏電流的主要實(shí)驗方法，具體為半導體器件的結溫條件下，施加最大反偏電壓的80％，在電和熱應力的作用下，監控器件漏電情況。而器件的漏電流，不僅與芯片結構設計和晶圓的具體生產(chǎn)工藝強相關(guān)，而且封裝所使用的塑封料對漏電流同樣影響較大。 技術(shù)實(shí)現要素： 3.針對上述問(wèn)題，本技術(shù)提供一種半導體器件塑封料選取方法、裝置、終端設備及存儲介質(zhì)，解決了現有技術(shù)中半導體器件封裝所使用的塑封料對漏電流影響較大的技術(shù)問(wèn)題。 4.第一方面，本技術(shù)提供了一種半導體器件塑封料選取方法，所述方法包括： 5.獲取待封裝半導體器件的額定工作信息及其鈍化層的材料信息； 6.根據所述待封裝半導體器件的額定工作信息，確定所述待封裝半導體器件的封裝形式； 7.根據所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式，選取與所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式均匹配的目標塑封料；其中，所述目標塑封料能夠使得通過(guò)所述目標塑封料封裝之后的所述待封裝半導體器件在高溫反偏試驗中的漏電流小于第一預設閾值且該待封裝半導體器件在高溫反偏試驗中于預設時(shí)間范圍內的漏電流變化值小于第二預設閾值。 8.根據本技術(shù)的實(shí)施例，優(yōu)選的，上述半導體器件塑封