本發明提供了一種二維易調控Ba0.65K0.35BiO3薄膜的制備方法,包括:A)將鋇源、鉀源和鉍源按比例混合球磨,預燒結、擠壓成形、坯體燒結得到Ba0.65K0.35BiO3靶材;B)Ba0.65K0.35BiO3靶材通過脈沖激光沉積在單晶襯底上生長Ba0.65K0.35BiO3薄膜。本發明所述Ba0.65K0.35BiO3靶材呈單一結構相,表面平整,均勻性好,相對致密度為90.94%,大于90%,與脈沖激光沉積儀貼合率達到99%。然后通過脈沖激光沉積在單晶襯底上生長出二維易調控Ba0.65K0.35BiO3薄膜。所述Ba0.65K0.35BiO3薄膜呈立方鈣鈦礦結構,表面平整,穩定性好,結晶性很好,生長周期短,在高溫超導領域具有很大的應用潛力。本發明制備方法簡單,參數可控,重復性高。
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