1.本發明屬于芯片性能測試技術領域，具體涉及一種射頻芯片篩測方法的設計。
背景技術：
2.射頻芯片在制造或加工過程中，將不可避免地受到外力作用，可能產生微裂紋。同時，芯片在封裝過程中也會出現包括引線變形、翹曲、芯片破裂、分層和外來顆粒等缺陷，雖然以上缺陷都有相應的缺陷檢測測試方法，但是所有缺陷檢測方法都不是百分百有效，導致部分存在潛在缺陷的芯片會進入芯片量產測試流程。
3.存在潛在缺陷的芯片會在后續的使用過程中，或一定的環境條件下出現性能下降、間歇性失效，甚至完全失效的風險。潛在缺陷的芯片一旦出現上述故障，將會影響電路以及整個系統的質量及可靠性，從而帶來巨大的經濟損失。因此提高射頻芯片的出廠良品率對于提高電路以及整個系統的可靠性具有重要意義。
技術實現要素：
4.本發明的目的是為了解決現有射頻芯片的缺陷檢測方法無法將具有潛在缺陷的異常芯片完全篩選出來，導致部分存在潛在缺陷的射頻芯片會進入芯片量產測試流程的問題，提出了一種射頻芯片篩測方法。
5.本發明的技術方案為：一種射頻芯片篩測方法，包括以下步驟：
6.s1、在待測射頻芯片的cp測試階段，在待測射頻芯片的vdd端口依次輸入五點等步進電壓，并依次記錄cp測試階段每個輸入電壓對應的輸出電流值。
7.s2、根據cp測試階段每個輸入電壓對應的輸出電流值計算cp測試階段的電流一階差值導數。
8.s3、根據cp測試階段的電流一階差值導數計算cp測試階段的電流二階差值導數。
9.s4、根據cp測試階段的電流二階差值導數計算cp測試階段的電流四階差值導數。
10.s5、針對cp測試階段選取的n個測試標準件，重復步驟s1～s4，得到n個cp測試階段的電流四階差值導數，并對其求平均差，得到修正參數。
11.s6、在待測射頻芯片的ft測試階段，在待測射頻芯片的vdd端口依次輸入五點等步進電壓，并依次記錄ft測試階段每個輸入電壓對應的輸出電流值。
12.s7、根據ft測試階段每個輸入電壓對應的輸出電流值計算ft測試階段的電流一階差值導數。
13.s8、根據ft測試階段的電流一階差值導數計算ft測試階段的電流二階差值導數。
14.s9、根據ft測試階段的電流二階差值導數計算ft測試階段的電流四階差值導數。
15.s10、采用修正參數對ft測試階段的電流四階差值導數進行修正，得到修正電流四階差值導數。
16.
聲明：
“射頻芯片篩測方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：成都嘉納海威科技有限責任公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
