該發明公開了一種通過填充Ga替換Sb提高CoSb3基方鈷礦材料熱電性能的方法,屬于熱電材料領域及其制備鄰域。本發明的目的在于提供一種通過填充鎵單質(Ga)、碲單質(Te)替換部分銻單質(Sb)形成填充替換方鈷礦來提高CoSb3基方鈷礦材料熱電性能的方法。該熱電材料可通過改變單質鎵(Ga)的含量和碲單質(Te)替換銻單質(Sb)的量來調節賽貝克系數、電導率和熱導率等參數來提升CoSb3基方鈷礦材料的熱電性能,且制備工藝簡單,適合大規模生產。
聲明:
“通過填充Ga、Te替換Sb提高基方鈷礦材料熱電性能的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)