一種ald鍍膜設備
技術領域
1.本實用新型涉及原子層沉積設備技術領域，具體而言，涉及一種ald鍍膜設備。
背景技術：
2.原子層沉積(atomic layer deposition)是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。并且，沉積層具有極均勻的厚度和優異的一致性。
3.一個ald鍍膜過程至少包含：(1)通入前軀體a；(2)清除鍍膜設備內的前驅體a，使其晶圓盤表面吸附一層前驅體a；(3)通入前軀體b；(4)清除鍍膜設備內的前驅體b，使晶圓盤表面的前驅體a和前驅體b進行反應，從而在晶圓盤表面鍍上一層需要的原子層。在這個過程中，鍍膜設備的腔體內部，包括腔體側壁，以及腔體內部的各個零部件的表面也會形成鍍層/雜質，因此需要定期對鍍膜設備的反應腔內部進行清洗。
4.但是，現有的鍍膜設備，結構復雜不易進行拆洗。
5.有鑒于此，申請人在研究了現有的技術后特提出本技術。
技術實現要素：
6.本實用新型提供了一種ald鍍膜設備，旨在改善上述技術問題。
7.為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種ald鍍膜設備，其包含：外腔組件、內腔組件、固定組件和連接組件。
8.外腔組件包括設置有容納腔的外腔體，以及接合于外腔體的插板閥。內腔組件包括可拆卸的配置于容納腔的內腔體。內腔體設置有用以進行鍍膜反應的反應腔，以及連通于反應腔用以取放待鍍膜產品的物料開口。其中，插板閥用以密封物料開口。固定組件包括設置于容納腔內用以定位內腔體的定位構件，以及用以接合于內腔體和外腔體之間的第一伸縮頂緊構件。連接組件接合于外腔體，且構造為：能夠通過快拆的方式接合于內腔體。以使外部設備連通于反應腔。
9.在一個可選的實施例中，連接組件包括接合于外腔體的波紋管和接合于波紋管的連接板。連接板設置有用以通過波紋管連通到外腔體外部的外設通孔。
10.內腔體設置有和連接板相適配的密封平面，以及位于密封平面且和外設通孔相適配的連接通孔。
11.固定組件還包括能夠接合于連接板和外腔體之間的第二伸縮頂緊構件。第二伸縮頂緊構件用以將連接板壓力抵接于內腔體，從而實現外設通孔和連接通孔的密封連接。
12.在一個可選的實施例中，外設通孔、連接通孔和波紋管一一對應，且數量至少為兩個。至少兩個
聲明：
“ALD鍍膜設備的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：廈門韞茂科技有限公司
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2025年07月23日 ~ 26日 
