本發明公開了一種智能可控溫的GaN功率循環實驗裝置,該裝置的主要功能是準確預測GaN芯片的使用壽命及其失效模式,并縮短實驗時間,加快實驗進程。通過箱體門上菜單鍵設置程序控制該裝置加熱冷卻所需時間及循環次數,通過環境加熱器為該裝置內部提供恒定的環境溫度,從而保證芯片功率測試在恒溫環境下進行,通過芯片加熱器來模擬GaN芯片工作時自身所產生的熱量,通過冷卻水箱來加速模擬GaN芯片冷卻過程,從而完成一次功率循環,如此反復,實現芯片的功率循環測試,通過箱體門上顯示屏觀察裝置內環境溫度及芯片實時溫度,通過箱體門上玻璃觀察整個測試過程。
聲明:
“智能可控溫的GaN功率循環實驗裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)