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監控低溫快速熱工藝的方法

957   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 09:02:34
本發明提供一種監控低溫快速熱工藝的方法,利用在晶片上形成一包含有一硅化物層,一厚度為200鈷金屬層與一厚度為200氮化鈦層的監控層,再通過測量監控層的電阻值來監控該低溫快速熱工藝的穩定性。即可得到該低溫快速熱工藝的效果,且解決了現有使用厚度為100的鈷金屬層容易因為晶片表面狀態而發生監控失效的缺點。
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“監控低溫快速熱工藝的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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