本發明適用于半導體技術領域,提供了一種GaN?HEMT加速壽命試驗方法,該方法包括:選取多個相同工藝制備的GaN?HEMT器件,并將多個所述GaNHEMT器件進行隨機分組,形成至少四個壽命試驗組;其中,所述壽命試驗組包括一個變化溫度試驗組和至少三個固定溫度試驗組;對每個所述固定溫度試驗組中的所述GaN?HEMT器件施加相同的試驗直流功率,并進行電參數測試,得到第一失效數據;對所述變化溫度試驗組中的所述GaN?HEMT器件施加與所述固定溫度試驗組相同的所述試驗直流功率,并進行電參數測試,得到第二失效數據;根據所述試驗溫度、第一失效數據和第二失效數據,獲得溫度?壽命曲線。本發明能夠驗證GaN?HEMT加速壽命試驗的一致性,提高試驗的可信性。
聲明:
“GaN HEMT加速壽命試驗方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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