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反應離子蝕刻的蝕刻速度控制方法和系統

1160   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 09:01:22
本發明公開了一種反應離子蝕刻(RIE)工藝,目的是確保鎢柱完整及表面潔凈無雜質(如圖1),利于掃描電子顯微鏡觀察,分析失效原因。根據芯片樣本表面的欲蝕刻材料選擇相應的蝕刻氣體,并在蝕刻氣體中加入惰性氣體;蝕刻過程中主要通過調整樣品的傾斜角度、過程清洗及產生高速撞擊離子的設備的功率、蝕刻氣體和惰性氣體的配比來控制欲蝕刻樣本的表面欲蝕刻材料和非欲蝕刻材料的蝕刻速度比。通過本發明提供的控制方法能夠使反應離子蝕刻保留具有各向異性特點,同時又能獲得高刻蝕選擇比。本發明還提供了一種控制反應離子蝕刻的蝕刻速度的系統。
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