本發明提供一種SiC MOSFET驅動器的短路保護電路,包括溫度檢測電路和控制電路;溫度檢測電路與SiC MOSFET連接,用于采集SiC MOSFET所在的散熱器的溫度,并將采集的溫度轉換為電壓信號;控制電路用于基于電壓信號和預設的電壓偏差確定基準電壓,控制電路還與SiC MOSFET連接,用于檢測SiC MOSFET的SiC MOSFET漏極和源極之間的電壓,并基于檢測的電壓和基準電壓對SiC MOSFET進行控制,實現SiC MOSFET的導通或關斷,本發明能夠對SiC MOSFET進行精準保護,不易誤動作,保護能力強,避免SiC MOSFET由于結溫過高而失效,延長了SiC MOSFET的使用壽命;大大提高了驅動器的可靠性,使驅動器能夠可靠驅動SiC MOSFET動作。
聲明:
“SiC MOSFET驅動器的短路保護電路” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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