本發明公開了一種定點平面TEM樣品制備方法,包括:步驟1:對TEM樣品的目標進行定位;步驟2:研磨所述TEM樣品,使所述TEM樣品的邊緣距離目標5~15um;步驟3:切割上述TEM樣品的截面;步驟4:將上述TEM樣品放入聚焦離子束中進行平面制樣。本發明通過結合研磨、截面切割、FIB平面制樣的方法,大大提高了TEM定點平面制備的成功率,同時也極大地提高了平面TEM樣品的質量,對失效分析、結構分析等提供了極大的幫助。
聲明:
“定點平面TEM樣品制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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