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自適應閃存寫入操作控制方法及電路

816   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 09:00:44
本發明公開了一種自適應閃存寫入操作控制方法及電路,該方法包括如下步驟:步驟一,當處理寫入操作時,對兩個參考單元的閾值電壓進行檢測;步驟二,將檢測的閾值電壓與不同參考閾值比較,根據比較結果判斷當前行的閾值范圍,從而取得當前行所處狀態,繼而判斷相應的預編程,擦除,漸進擦除或編程操作,本發明可自適應的對閃存對應行進行擦除或寫入操作,有效的防止對存儲單元的過度擦除導致的過飽和失效,同時針對擦除不足的行,通過漸進式擦除機制,防止因擦除不足造成的閃存失效。
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