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平面TEM樣品的制備方法

760   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 09:00:38
本發明提出一種平面TEM樣品的制備方法,包含制備樣品,使樣品的斷面的截面到達目標區域附近,切割樣品到露出Poly層,濕法腐蝕,去除Poly,制備第一切割面,切割樣品,在襯底內部制備第二切割面,最后完成平面TEM樣品。本發明為制備觀測多晶Poly下方的柵氧化層缺陷和硅襯底位錯的TEM分析提出了一種基于現有技術的新方法,通過腐蝕Poly即可以去除Poly晶格對TEM觀測的影響,又可以利用腐蝕劑對襯底的腐蝕準確定位柵氧化層中的缺陷。采用本發明方法能提高該類失效分析的質量和成功率。
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