本發明公開了一種解剖塑封光耦的方法,該方法包括:對塑封光耦進行內部成像;打磨塑封光耦,直至露出光耦隔離片;采用機械應力對塑封光耦進行解剖;去除光耦隔離片;采用腐蝕劑去除芯片表面的導光膠和鍵合點上殘留物;采用有機溶劑對解剖后的塑封光耦進行清洗。本發明以一種簡單、高效、低成本、高成功率的方法實現對塑封光耦的解剖,并且保證了器件內部結構完整、器件不會遺失、芯片表面干凈,確保塑封光耦器件在失效分析和破壞性物理分析等分析工作中滿足使用條件,有效提升了針對塑封光耦的分析能力,能很好滿足失效分析中的失效定位分析以及破壞性物理分析中的內引線鍵合力、芯片剪切力等測試分析工作。
聲明:
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