本發明涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種提高透射電鏡圖像質量的平面樣品制備方法。首先通過電性測試方法獲取失效點位置,之后根據失效點位置于待測樣品正面形成第一開口、于待測樣品背面形成第二開口;并繼續將待測樣品放置于沸騰的膽堿配比溶液中保持5-10min,以徹底去除第二開口底部的硅襯底;然后通過刻蝕工藝去除第一開口下方的絕緣層和第二多晶硅層;最后利用透射電鏡圖像來分析失效點。通過本方法使失效區域多晶硅透射電鏡圖像不受非缺陷區域的干擾,得到一個較為均勻清晰的待測樣品的透射電鏡圖像,從而更容易發現缺陷,以進一步提高器件缺陷分析的效率。
聲明:
“提高透射電鏡圖像質量的平面樣品制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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