本發明涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種制備TEM樣品的方法,通過在獲取失效芯片的失效點位置以及非失效芯片的失效分析參考點的位置后,將失效芯片沿垂直于選定側面的方向拋光至失效點的附近,并將非失效芯片沿垂直于該選定側面的方向拋光至失效分析參考點的附近,之后將失效芯片的正面和非失效芯片的正面粘合在一起形成一待測結構,并將待測結構的拋光面朝上放入FIB機臺進行TEM樣品的制備工藝,從而可以快速的制備出TEM樣品,且可以在拍攝高分辨率圖片時找到最合適的厚度,確保高分辨率圖片的質量。
聲明:
“制備TEM樣品的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)