本實用新型提供一種深N阱隔離測試結構,包括P型襯底及形成于其中的第一、第二深N阱,第一、第二N阱,第一、第二P阱;其中:所述第一、第二P阱的側面靠下部分分別被所述第一、第二N阱所包圍;所述第一、第二深N阱分別形成于所述第一、第二P阱下方,且邊緣部分分別與所述第一、第二N阱連接;所述第一、第二P阱,第一、第二N阱分別通過相應的引出部與所述第一、第二、第三、第四測試焊盤連接。本實用新型通過引入N型重摻雜區域連接N阱,并增加用于測試兩個深N阱區域之間一對N阱之間隔離效果的測試焊盤,避免了由于兩塊NW之間缺陷造成兩個DNW區域之間的隔離失效被忽視的問題,從而能夠更為全面地偵測兩塊深N阱之間區域的隔離效果。
聲明:
“深N阱隔離測試結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)