本發明公開了一種IGBT模塊內部芯片結溫測試方法,該測試方法為:首先將IGBT芯片焊接在覆銅的陶瓷基板上,然后在IGBT芯片旁設定距離處焊接一個二極管芯片,二極管芯片的上表面是陽極,下表面是陰極;通過鋁線鍵合方式,將二極管芯片的兩個電極引出到陶瓷基板的覆銅層上,然后覆銅層再通過鋁線鍵合方式引出到外接的二極管芯片陽極端子和陰極端子上;通過測量電路獲得所述二極管芯片陽極端子和陰極端子之間的管壓降,根據二極管的正向導通壓降值和溫度的線性關系計算出二極管芯片的溫度,進而表征所述IGBT芯片的溫度。本方法中由于二極管芯片非??拷麵GBT芯片,溫度的反饋會更精準快速,避免了IGBT模塊由于瞬間溫升情況而引起的失效情況的發生。
聲明:
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